Pamięci FLASH

Partnerzy: Firmy Dzierżoniów - Hurtownie - Nieruchomości - data recovery -

Pamięć typu flash (ang. „flash memory”) jest rodzajem pamięci o nazwie EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), która pozwala na zapisywania bądź też usuwanie wielu komórek pamięci w czasie jednej operacji programowania. Po odłączeniu zasilania nie traci ona zapisanych na niej danych.

Kasowanie oraz zapis wewnątrz pamięci flash odbywa się poprzez podanie odpowiednich sygnałów elektrycznych. Sama nazwa \"flash\" wywodzi się od bardzo szybkiego kasowania zapisanych komórek w tej pamięci.

Ten rodzaj pamięci trwałej dzieli się w zależności od użytego typu bramki logicznej na:

  • pamięć flash typu NOR, która wykorzystuje funktor binegacji logicznej, w skrócie NOR; z tego względu, iż umożliwia ona bezpośredni dostęp do każdej komórki pamięci przy stosunkowo długim czasie zapisu i odczytu danych, to nadaje się do przechowywania informacji, które nie wymagają częstej aktualizacji; często wykorzystywano ją w pierwszych wersjach kart pamięci o nazwie CompactFlash, które jednak zastąpiono później tańszą pamięcią flash typu NAND.
  • pamięć flash typu NAND, która bazuje na funktorze dysjunkcji logicznej (NAND); charakteryzuje się krótszym czasem zapisu i kasowania danych niż pamięć typu NOR; posiada także dziesięciokrotnie większą trwałość i większą gęstość kumulowania danych, a także korzystniejszy stosunek kosztu do pojemności; sekwencyjny dostęp do danych ogranicza tego rodzaju pamięć do zastosowań jej tylko jako nośnika danych w np. kartach pamięci typu Memory Stick czy MultiMedia Card i w pamięciach USB, czyli pendrivach.

pendrive

Konstruktorem pierwszych pamięci flash, zarówno NOR, jak i NAND, był Fujio Masuoka, pracujący w firmie Toshiba (1980 r.). Tego rodzaju pamięć (typu NOR) trafiła do produkcji w 1988 roku, wypuszczona przez przedsiębiorstwo Intel. Rok później za sprawą firm Toshiba i Samsung pojawiła się na rynku także pamięć flash typu NAND.

Pamięć flash składa się z połączonych ze sobą licznych komórek pamięci. Komórki te zawierają dodatkowe kontrolery, które sterują takimi operacjami jak: kontrola i wykrywanie błędów, zapis oraz odczyt danych. Układ ten podobny jest do budowy tranzystora polowego. Komórki pamięci posiadają dwie bramki: sterującą i „pływającą”. Przy odczycie danej komórki do bramki sterującej doprowadzane jest napięcie. Następnie ładunek bramki „pływającej” decyduje o przepływie prądu i napięciu progowym Ut. W przypadku gdy napięcie bramki sterującej przekroczy Ut, wówczas elektronika pamięci flash rozpoczyna przewodzenie.

Dziś pamięć flash ustanawia rewolucję w budowie urządzeń elektrycznych. Produkująca je firma AMD wyposaża tego rodzaju pamięci w coraz większą pojemność w coraz mniejszych obudowach. Ponadto sprzyjają one zmniejszaniu zużycia energii.